STB45N30M5

STMicroelectronics

STB45N30M5

Datasheet

模拟与电源

NCHANNEL 300 V 0.037 OHM TYP. 53

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 26.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4240 pF @ 100 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列MDmesh™ M5
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

电气

漏源电压300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C53A (Tc)
最大功耗250W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装D²PAK (TO-263)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)