STB43N65M5

Name: STB43N65M5
Brand: STMicroelectronics

模拟与电源

MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	63mOhm @ 21A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4400 pF @ 100 V
制造商	STMicroelectronics
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA

漏源电压	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	42A (Tc)
最大功耗	250W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)