STB20N90K5

STMicroelectronics

STB20N90K5

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 900V 20A D2PAK

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs250mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 100 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列MDmesh™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 100µA

电气

漏源电压900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
最大功耗250W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装D²PAK (TO-263)

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)