STB20N60M2-EP

STMicroelectronics

STB20N60M2-EP

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号STB20
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 10 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列MDmesh™ M2-EP
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装D²PAK (TO-263)

环境

工作温度150°C (TJ)