STB16PF06LT4

STMicroelectronics

STB16PF06LT4

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK

停产/老旧TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs125mOhm @ 8A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds630 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列STripFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 100µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
最大功耗70W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装D2PAK

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)