SCTWA90N65G2V-4

STMicroelectronics

SCTWA90N65G2V-4

Datasheet

模拟与电源

TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247

在产TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 50A, 18V
基础料号SCTWA90
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3380 pF @ 400 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

电气

漏源电压650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C119A (Tc)
最大功耗565W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装HiP247™ Long Leads

环境

工作温度-55°C~200°C(TJ)