SCTW60N120G2

STMicroelectronics

SCTW60N120G2

模拟与电源

DISCRETE

在产TO-247-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 30A, 18V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs94 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1969 pF @ 800 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+18V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

电气

漏源电压1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
最大功耗389W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-247-3
供应商器件封装HiP247™

环境

工作温度-55°C ~ 200°C (TJ)