SCTL35N65G2V

STMicroelectronics

SCTL35N65G2V

Datasheet

模拟与电源

TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV

在产8-PowerVDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs67mOhm @ 20A, 20V
基础料号SCTL35
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1370 pF @ 400 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

电气

漏源电压650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
最大功耗417W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
供应商器件封装PowerFlat™ (8x8) HV

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)