SCT50N120

Name: SCT50N120
Brand: STMicroelectronics

模拟与电源

SICFET N-CH 1200V 65A HIP247

在产TO-247-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	69mOhm @ 40A, 20V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	122 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1900 pF @ 400 V
制造商	STMicroelectronics
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+25V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA

漏源电压	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	65A (Tc)
最大功耗	318W (Tc)

工作温度	-55°C~200°C(TJ)