NAND512R3A2BZA6E

STMicroelectronics

NAND512R3A2BZA6E

存储器与存储

IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA

停产/老旧63-VFBGA存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Non-Volatile
技术FLASH - NAND
访问时间60 ns
基础料号NAND512
制造商STMicroelectronics
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
写周期时间60ns

电气

存储容量512Mbit
存储格式FLASH
Memory InterfaceParallel
供电电压1.7V ~ 1.95V
Memory Organization64M x 8

机械

封装Tray
Package / Case63-VFBGA
供应商器件封装63-VFBGA (8.5x15)

环境

工作温度-40°C ~ 85°C (TA)