BUZ10

STMicroelectronics

BUZ10

模拟与电源

MOSFET N-CH 50V 23A TO220AB

停产/老旧TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 14A, 10V
基础料号BUZ10
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds900 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列STripFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

电气

漏源电压50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Tc)
最大功耗75W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220

环境

工作温度175°C(TJ)