2N7000

STMicroelectronics

2N7000

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3

停产/老旧TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds43 pF @ 25 V
制造商STMicroelectronics
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列STripFET™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±18V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C350mA (Tc)
最大功耗1W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装TO-92-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)