2N6660

Solid State Inc

2N6660

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39

在产TO-205AD, TO-39-3 Metal Can模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50 pF @ 25 V
制造商Solid State Inc.
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±40V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.1A (Tc)
最大功耗6.25W (Tc)

机械

封装Box
Package / CaseTO-205AD, TO-39-3 Metal Can
供应商器件封装TO-39

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)