通用
| 基础料号 | GHXS050 |
|---|---|
| Diode Configuration | 2 Independent |
| 制造商 | SemiQ |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| Product Status | Active |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1700 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9 V @ 50 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 150A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 750 µA @ 1700 V |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
机械
| 封装 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| 供应商器件封装 | SOT-227 |
环境
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
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