通用
| 基础料号 | GHXS020 |
|---|---|
| Diode Configuration | 2 Independent |
| 制造商 | SemiQ |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 包装 | Tube |
| 产品状态 | 在产 |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 20 A |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 20A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 600 V |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
机械
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
|---|---|
| 供应商器件封装 | SOT-227 |
环境
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|