GCMX080B120S1-E1

Name: GCMX080B120S1-E1
Brand: SemiQ

模拟与电源

SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227

在产SOT-227-4, miniBLOC模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 20A, 20V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1336 pF @ 1000 V
制造商	SemiQ
安装类型	Chassis Mount
Product Status	Active
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+25V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 10mA

漏源电压	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Tc)
最大功耗	142W (Tc)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)