FKV550N

Sanken

FKV550N

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 50V 50A TO220F

在产TO-220-3 Full Pack模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 25A, 10V
基础料号FKV550
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2000 pF @ 10 V
制造商Sanken
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.2V @ 250µA

电气

漏源电压50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Ta)
最大功耗35W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
供应商器件封装TO-220F

环境

工作温度150°C(TJ)