2SK4161D

Sanken Electric USA Inc

2SK4161D

Datasheet

模拟与电源

MOS FET 60V/100A/0.0038

在产TO-3P-3, SC-65-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs155mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10000 pF @ 10 V
制造商Sanken Electric USA Inc.
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
最大功耗132W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装TO-3P

环境

工作温度175°C (TJ)