通用
| 存储器类型 | Volatile |
|---|---|
| 技术 | SRAM - Asynchronous |
| 制造商 | Samsung Semiconductor, Inc. |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 写周期时间 | 55ns |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 存储容量 | 256Kbit |
|---|---|
| 存储格式 | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 供电电压 | 4.5V ~ 5.5V |
| Memory Organization | 32K x 8 |
机械
| 封装 | Tube |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 28-SOP |
环境
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
|---|