K6F2016U4D-FF70T00

Samsung Semiconductor, Inc

K6F2016U4D-FF70T00

存储器与存储

SRAM ASYNC SLOW 2MB 128Kx16 3.3V

停产/老旧存储器与存储

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

存储器类型Volatile
技术SRAM - Asynchronous
制造商Samsung Semiconductor, Inc.
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR)
产品状态停产/老旧
写周期时间70ns

电气

存储容量2Mbit
存储格式SRAM
Memory InterfaceParallel
供电电压2.7V ~ 3.6V
Memory Organization128K x 16

机械

供应商器件封装48-FBGA (6x7)

环境

工作温度-40°C ~ 85°C (TA)