通用
| 存储器类型 | Volatile |
|---|---|
| 制造商 | Samsung Semiconductor, Inc. |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 存储容量 | 8Gbit |
|---|---|
| 存储格式 | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 时钟频率 | 1866 MHz |
| 供电电压 | 1.1V |
| Memory Organization | 256M x 32 |
机械
| 封装 | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 200-TFBGA |
环境
| 工作温度 | -25°C ~ 85°C |
|---|