ZDS020N60TB

Rohm Semiconductor

ZDS020N60TB

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 630MA 8SOP

停产/老旧8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds310 pF @ 10 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR)
产品状态停产/老旧
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

电气

漏源电压600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C630mA (Tc)
最大功耗2W (Tc)

机械

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOP

环境

工作温度150°C (TJ)