UT6MA2TCR

Rohm Semiconductor

UT6MA2TCR

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8

在产6-PowerUDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
基础料号UT6MA2
配置N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds180pF @ 15V, 305pF @ 15V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
Power - Max2W (Ta)

机械

Package / Case6-PowerUDFN
供应商器件封装HUML2020L8

环境

工作温度150°C (TJ)