UT6KC5TCR

Rohm Semiconductor

UT6KC5TCR

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8DFN

在产8-PowerUDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs95mOhm @ 3.5A, 10V
基础料号UT6KC5
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds135pF @ 30V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

电气

漏源电压60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Ta)
Power - Max2W (Ta)

机械

Package / Case8-PowerUDFN
供应商器件封装DFN2020-8D

环境

工作温度150°C (TJ)