US6K2TR

Rohm Semiconductor

US6K2TR

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6

在产6-SMD, Flat Leads模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 1.4A, 10V
基础料号US6K2
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds70pF @ 10V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A
Power - Max1W

机械

Package / Case6-SMD, Flat Leads
供应商器件封装TUMT6

环境

工作温度150°C (TJ)