SP8M9TB

Rohm Semiconductor

SP8M9TB

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOP

停产/老旧8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 9A, 10V
基础料号SP8M9
配置N and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1190pF @ 10V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态停产/老旧
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A, 5A
Power - Max2W

机械

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOP

环境

工作温度150°C (TJ)