SH8M70TB1

Rohm Semiconductor

SH8M70TB1

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOP

停产/老旧8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.63Ohm @ 1.5A, 10V
基础料号SH8M70
配置N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds180pF @ 25V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR)
产品状态停产/老旧
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

电气

漏源电压250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A, 2.5A
Power - Max2W

机械

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOP

环境

工作温度150°C (TJ)