SH8K32TB1

Rohm Semiconductor

SH8K32TB1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP

已停产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 4.5A, 10V
基础料号SH8K32
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds500pF @ 10V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态Not For New Designs
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

电气

漏源电压60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A
Power - Max2W

机械

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOP (5.0x6.0)

环境

工作温度150°C (TJ)