SCT3160KLHRC11

Name: SCT3160KLHRC11
Brand: Rohm Semiconductor

模拟与电源

SICFET N-CH 1200V 17A TO247N

在产TO-247-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	208mOhm @ 5A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	398 pF @ 800 V
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	Through Hole
包装	Tube
产品状态	在产
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+22V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.6V @ 2.5mA

漏源电压	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	17A (Tc)
最大功耗	103W