SCT3105KRC14

Name: SCT3105KRC14
Brand: Rohm Semiconductor

模拟与电源

SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4L

在产TO-247-4模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	137mOhm @ 7.6A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	574 pF @ 800 V
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+22V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.6V @ 3.81mA

漏源电压	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	24A (Tc)
最大功耗	134W

工作温度	175°C(TJ)