SCT3080KRHRC15

Rohm Semiconductor

SCT3080KRHRC15

Datasheet

模拟与电源

1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

在产TO-247-4模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs104mOhm @ 10A, 18V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds785 pF @ 800 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+22V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id5.6V @ 5mA

电气

漏源电压1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31A (Tc)
最大功耗165W

机械

封装Tube

环境

GradeAutomotive
工作温度175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101