SCT3080ALGC11

Name: SCT3080ALGC11
Brand: Rohm Semiconductor

模拟与电源

SICFET N-CH 650V 30A TO247N

在产TO-247-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	104mOhm @ 10A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	571 pF @ 500 V
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+22V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.6V @ 5mA

漏源电压	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Tc)
最大功耗	134W (Tc)

工作温度	175°C(TJ)