SCT2H12NZGC11

Name: SCT2H12NZGC11
Brand: Rohm Semiconductor

模拟与电源

SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM

在产TO-3PFM, SC-93-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 1.1A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	184 pF @ 800 V
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+22V, -6V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 900µA

漏源电压	1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.7A (Tc)
最大功耗	35W (Tc)

工作温度	175°C(TJ)