SCT2750NYTB

Name: SCT2750NYTB
Brand: Rohm Semiconductor

模拟与电源

SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268

在产TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	975mOhm @ 1.7A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	275 pF @ 800 V
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+22V, -6V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 630µA

漏源电压	1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.9A (Tc)
最大功耗	57W (Tc)

工作温度	175°C(TJ)