RX3G07BBGC16

Rohm Semiconductor

RX3G07BBGC16

Datasheet

模拟与电源

NCH 40V 70A, TO-220AB, POWER MO

在产TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 70A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3540 pF @ 20 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Through Hole
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C70A (Tc)
最大功耗89W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装TO-220AB

环境

工作温度150°C (TJ)