RW4E045AJTCL1

Rohm Semiconductor

RW4E045AJTCL1

Datasheet

模拟与电源

NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0

在产6-PowerUFDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 4.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds450 pF @ 15 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Ta)
最大功耗1.5W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-PowerUFDFN
供应商器件封装DFN1616-7T

环境

工作温度150°C(TJ)