RW1A030APT2CR

Rohm Semiconductor

RW1A030APT2CR

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 12V 3A 6WEMT

已停产6-SMD, Flat Leads模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 3A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2700 pF @ 6 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusLast Time Buy
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)-8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

电气

漏源电压12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
最大功耗700mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-SMD, Flat Leads
供应商器件封装6-WEMT

环境

工作温度150°C(TJ)