RV8C010UNHZGG2CR

Rohm Semiconductor

RV8C010UNHZGG2CR

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W

在产3-XFDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs470mOhm @ 500mA, 4.5V
基础料号RV8C010
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40 pF @ 10 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

电气

漏源电压20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
最大功耗1W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case3-XFDFN
供应商器件封装DFN1010-3W

环境

工作温度150°C(TJ)