RV5A040APTCR1

Rohm Semiconductor

RV5A040APTCR1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 12V 4A DFN1616-6

在产6-PowerWFDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs62mOhm @ 4A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2000 pF @ 6 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)-8V, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

电气

漏源电压12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
最大功耗700mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-PowerWFDFN
供应商器件封装DFN1616-8S

环境

工作温度150°C(TJ)