RV4C020ZPHZGTCR1

Rohm Semiconductor

RV4C020ZPHZGTCR1

Datasheet

模拟与电源

PCH -20V -2.0A SMALL SIGNAL MOSF

在产6-PowerWFDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs260mOhm @ 2A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds80 pF @ 10 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
最大功耗1.5W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

环境

GradeAutomotive
工作温度150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101