RV2C014BCT2CL

Rohm Semiconductor

RV2C014BCT2CL

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006-3

在产3-XFDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 1.4A, 4.5V
基础料号RV2C014
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds100 pF @ 10 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 100µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C700mA (Ta)
最大功耗400mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case3-XFDFN
供应商器件封装DFN1006-3

环境

工作温度150°C(TJ)