RV2C010UNT2L

Rohm Semiconductor

RV2C010UNT2L

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3

在产SC-101, SOT-883模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs470mOhm @ 500mA, 4.5V
基础料号RV2C010
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40 pF @ 10 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
最大功耗400mW (Ta)

机械

Package / CaseSC-101, SOT-883
供应商器件封装VML1006

环境

工作温度150°C (TJ)