RV2C002UNT2L

Name: RV2C002UNT2L
Brand: Rohm Semiconductor

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3

在产SC-101, SOT-883模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 150mA, 4.5V
基础料号	RV2C002
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	12 pF @ 10 V
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 100µA

漏源电压	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	180mA (Ta)
最大功耗	100mW (Ta)

工作温度	150°C(TJ)