RUM003N02T2L

Rohm Semiconductor

RUM003N02T2L

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3

已停产SOT-723模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1Ohm @ 300mA, 4V
基础料号RUM003
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds25 pF @ 10 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusNot For New Designs
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300mA (Ta)
最大功耗150mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-723
供应商器件封装VMT3

环境

工作温度150°C(TJ)