RUM002N02T2L

Name: RUM002N02T2L
Brand: Rohm Semiconductor

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3

在产SOT-723模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
基础料号	RUM002
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	25 pF @ 10 V
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA

漏源电压	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 2.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	200mA (Ta)
最大功耗	150mW (Ta)

工作温度	150°C(TJ)