RU1E002SPTCL

Rohm Semiconductor

RU1E002SPTCL

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F

在产SC-85模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 250mA, 10V
基础料号RU1E002
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds30 pF @ 10 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C250mA (Ta)
最大功耗200mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSC-85
供应商器件封装UMT3F

环境

工作温度150°C(TJ)