RTU002P02T106

Rohm Semiconductor

RTU002P02T106

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 250MA UMT3

已停产SC-70, SOT-323模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 250mA, 4.5V
基础料号RTU002
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50 pF @ 10 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusNot For New Designs
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C250mA (Ta)
最大功耗200mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-70, SOT-323
供应商器件封装UMT3

环境

工作温度150°C (TJ)