RTQ045N03TR

Rohm Semiconductor

RTQ045N03TR

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6

已停产SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs43mOhm @ 4.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds540 pF @ 10 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusNot For New Designs
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Ta)
最大功耗1.25W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装TSMT6 (SC-95)

环境

工作温度150°C(TJ)