RTQ035P02HZGTR

Rohm Semiconductor

RTQ035P02HZGTR

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6

在产SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3.5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1200 pF @ 10 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A (Ta)
最大功耗950mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

环境

GradeAutomotive
工作温度150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101