RTF025N03FRATL

Rohm Semiconductor

RTF025N03FRATL

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3

在产3-SMD, Flat Leads模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs67mOhm @ 2.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds270 pF @ 10 V
制造商Rohm Semiconductor
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Ta)
最大功耗800mW (Ta)

机械

供应商器件封装TUMT3

环境

GradeAutomotive
工作温度150°C
QualificationAEC-Q101